国家知识产权局信息显示，浜松光子学株式会社、安乃捷科技公司申请一项名为“采用预电离的光源”的专利，公开号CN121039782A，申请日期为2024年8月。

　　专利摘要显示，本发明的EUV光源包括划定等离子体约束区的腔室。磁芯位于所述腔室周围，并且配置为在等离子体生成区中生成等离子体，使得所述等离子体会聚于所述等离子体约束区。电力输送部位于所述磁芯周围。电源包括充电电路、预电离电路以及具有耦合至所述磁芯输出的固态开关电路。所述电源配置为将所述充电电路与所述电力输送部分隔离，并且通过感应耦合产生预电离脉冲，从而引起所述等离子体生成区中的气体电离。所述固态开关电路配置为通过感应耦合将电容放电，以在所述等离子体生成区中形成等离子体。

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