产品中心

PRODUCT
当前位置: 首页 > 产品中心 > 产品分类二

华为申请具有集成子晶胞的半导体器件专利实现高电子迁移率晶体管与肖特基势垒二极管晶胞的集成

作者:小编    发布时间:2026-01-31 04:27:45

  国家知识产权局信息显示,华为数字能源技术有限公司申请一项名为“具有集成的第一类型子晶胞和第二类型子晶胞的半导体器件”的专利,公开号CN121420646A,申请日期为2023年6月。

  专利摘要显示,本发明涉及一种半导体器件(100),包括:管芯层(110),包括顶表面和与所述顶表面相对的底表面;所述管芯层(110)形成横跨所述管芯层(110)的所述顶表面并排布置的多个单位晶胞(120),其中,每个单位晶胞(120)包括集成在所述单位晶胞(120)中的第一类型子晶胞(120a)和第二类型子晶胞(120b);所述第一类型子晶胞(120a)包括形成在所述管芯层(110)的所述顶表面处的第一电极(121)、第二电极(122)和第三电极(123),所述三个电极(121、122、123)中的第一电极被布置成包围所述三个电极(121、122、123)中的第二电极;所述三个电极(121、122、123)中的所述第一电极和所述第二电极被布置成包围所述三个电极(121、122、123)中的第三电极;所述第一类型子晶胞(120a)形成高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)晶胞;所述第二类型子晶胞(120b)形成肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)晶胞。

  天眼查资料显示,华为数字能源技术有限公司,成立于2021年,位于深圳市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析,华为数字能源技术有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目294次,财产线条,此外企业还拥有行政许可8个。

  声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。


Copyright © 2012-2018 某某网站 版权所有 非商用版本琼ICP备xxxxxxxx号
电 话:400-123-4567 手 机:13800000000
地 址:广东省广州市天河区88号
扫一扫关注微信