国家知识产权局信息显示，盛吉盛（韩国）半导体科技有限公司申请一项名为“在半导体制作工序中应对发生回流的后续措施方法”的专利，公开号CN121214655A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本发明涉及在半导体制作工序中应对发生回流的后续措施方法，其可以包括：a)步骤，监测工序腔室压力及前级管路压力；b)步骤，在所述工序腔室压力低于所述前级管路压力的情况下，产生报警信号；c)步骤，在结束工序后，显示针对工序腔室内的基板的工序失败；d)步骤，退回所述基板；e)步骤，对所述工序腔室执行清洁配方；f)步骤，计算出粒子变化量；g)步骤，监测所述工序腔室压力及所述前级管路压力；以及h)步骤，在所述工序腔室压力为所述前级管路压力以上，且所述粒子变化量为设定基准值以下的情况下，显示所述工序腔室为待机状态。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
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